Команда Intel по разработке компонентов технологий (TD CR) находится на переднем крае инноваций в области полупроводниковых и упаковочных технологий. Мы активно ищем Инженера-исследователя полупроводников для вклада в наши передовые проекты по исследованию памяти и аналогового схемотехники в Хиллсборо, Орегон.
В качестве Инженера-исследователя полупроводников вы будете:
- Разрабатывать схемы памяти нового поколения и аналоговые схемы на КМОП-транзисторах.
- Разрабатывать цифровые схемы, подсистемы и полные чип-дизайны на основе КМОП и неКМОП технологий, включая логический дизайн, RTL, симуляцию, размещение-и-трассировку, а также анализ времени и мощности.
- Сотрудничать с командой физического проектирования для достижения оптимальных показателей по времени задержки, площади и мощности.
- Проводить функциональную верификацию и лабораторные тесты схем.
- Сосредоточить свои усилия на инновационных схемах для новых типов памяти, повышая свои навыки в научном анализе, решении проблем и синтезе симуляционных и экспериментальных данных.
Для рассмотрения на данную позицию вы должны иметь:
- Кандидатскую степень по специальности "Электротехника" с опытом работы не менее 2 лет, включая научные исследования в рамках аспирантуры, связанные с твердотельными материалами, устройствами и схемами.
- Опыт разработки схем памяти (SRAM/RRAM/MRAM/FE-RAM) и аналоговых схем на КМОП-транзисторах.
- Практический опыт программно-аппаратного совместного проектирования с использованием КМОП или новых технологий для реализации передовых алгоритмов.
- Доказанные навыки проектирования цифровых IP или ASIC/SoC, проверка, проектирование под тестирование на RTL и сопутствующие инструменты, а также прототипирование симуляции в Verilog/RTL или FPGA.
Идеальные кандидаты также продемонстрируют:
- Глубокие знания физики полупроводников и дизайна аналоговых схем на КМОП-транзисторах.
- Знание передовых технологий неволатильной памяти и опыт работы с дизайном SRAM и передовыми системами VLSI.
- Опыт работы с полным процессом подготовки высокопроизводительных ИС к производству и знакомство с